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未掺杂半绝缘LECGaAs费米能级和…
在２８４Ｋ～４５５Ｋ温度范围内，对未掺杂半绝缘ＬＥＣＧａＡｓ样品进行了霍尔一范德堡测量．根据实验数据计算了费米能级和深施主缺陷ＥＬ２电离率的温度关系．发现计…
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常压MOCVD法生长的p型ZnSe及…
本文通过常压ＭＯＣＶＤ方法，利用ＮＨ３气作为受主掺杂源，在（１００）方向的ＧａＡｓ衬底上生长了ＺｎＳｅ：Ｎ膜．通过测…
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计算机辅助霍尔测量系统
霍尔测量是研究半导体材料性质的重要实验方法 ,文中设计、建立了一套计算机辅助测量系统 ,它能自动采集和处理数据。文中论述了该系统的组织构造…
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