真空度对纳米碳管场发射性能的影响
研究了单壁纳米碳管(SWNTs)、双壁纳米碳管(DWNTs)和多壁纳米碳管(MWNTs)在不同真空度下的场发…
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用热丝CVD技术制备场发射冷阴极金刚…
以甲烷和氢气的混合气体为原料 ,用热丝化学汽相淀积法 ,在 ( 1 0 0 )硅衬底上 80 0℃温度时异质生长出适合场发射的金刚石…
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用场发射显微镜测量单壁碳纳米管的逸出…
该文利用场发射显微镜对单壁碳纳米管的逸出功进行了研究和测量。未进行…
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用场发射显微镜研究单壁碳纳米管场发射
利用场发射显微镜在小于 4 0× 10 - 7Pa压强条件下研究了单壁碳纳米管微束在不同温度加热除气后的场发射变化 ,得出随着除气温度的升高 ,碳纳米管逸出功经…
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CVD金刚石膜场发射机制的探讨
通过分析CVD金刚石膜的结构 ,对CVD金刚石膜的场发射机制进行了研究。结果表明金刚石膜内含有一定数量的石墨 ,当电子通过石墨时从石墨的电场中获得能量增大了电子隧穿金…
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PECVD法淀积氮化硼薄膜场发射特性…
用Ｂ２Ｈ６和ＳｉＨ４作反应气体，通过射频等离子体增强化学气相淀积（ＲＦ－ＰＥＣＶＤ）方法，…
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SiCN薄膜的制备及其性能研究
利用射频溅射法在Si衬底上制备了SiCN薄膜,并利用X射线衍射(XRD)、红外吸收谱(FTIR)和X射线光电子谱(XPS)对薄膜的结构、成份及化学键合状态进行了分析…
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掺氮对类金刚石薄膜场发射的影响
利用脉冲激光沉积技术制备出了掺氮和未掺氮的类金刚石薄膜。采用X射线衍射仪、喇曼光…
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掺氟碳纳米管电子性质的研究
利用第一原理方法讨论了掺氟碳纳米管的电子性质 .与纯碳管相比 ,掺氟碳纳米管也能稳定存在…
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氮化硼薄膜的厚度对场发射特性的影响
利用射频磁控溅射方法,在n型(100)Si基底上沉积了不同厚度(54～12…
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电子束蒸发制备纳米硅锥及其场发射性能…
应用超高真空电子束蒸发方法,以铁作为催化剂,在硅和多孔硅衬底上生长纳米Si锥阵列。采用原子力显微镜表征生长在不同衬底上纳米硅的形貌特征,测试和比较了不同衬…
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